Сегодня, компания Samsung анонсировала свою новую разработку – модуль памяти с двухсторонним расположением микросхем объемом 8Гб (RDIMM), основанный на Green DDR3 DRAM. Согласно информации полученной от Samsun чип только что успешно прошел тестовые испытания. Конструкция нового чипа позволяет увеличить площадь использования в 50 раз, тем самым существенно повысив общий уровень производительности.
Новый модуль памяти создан на 40-нм архитектуре и потребляет на 40% меньше энергии по сравнению с обычными RDIMM чипами. Основа для использования новой технологи – серверные станции. Запуск в производство намечен на 2012 год.
Источник Electronista.com
Специально для Hi-News.ru
1 комментарий
Оставить свой