Ученые заменят флеш-память терабайтным резистивным накопителем
Ученые из Калифорнийского университета разработали технологию новых накопителей для мобильной электроники. Она найдет свое применение в смартфонах, планшетах, ноутбуках и цифровых камерах. В основе лежит резистивная память, позволяющая делать ячейки памяти очень маленькими. Она работает на высокой скорости и позволяет создавать накопители большего объема, чем на базе флеш-технологии, которая в настоящее время является промышленным стандартом. Для резистивной памяти обычен накопитель, емкость которого исчисляется в терабайтах, а не в гигабайтах, как это сегодня привычно. Скоро знание о том, как работает флешка займет место в учебниках истории.
Ключевым моментом технологии является разработка нано-«островков» из оксида цинка, размещаемой на кремниевой основе. Это позволяет устранить второй элемент, именуемый устройством-переключателем, в роли которого часто выступает диод.
Как сообщает ресурс e! Science News, посвятивший заметку данной технологии, один из авторов публикации на тему новой разработки профессор Джанлин Лиу отмечает:
Это значительный шаг в направлении широкого распространения резистивной памяти в электронной индустрии в качестве замены флеш-памяти. Это в действительности упрощает процесс и сокращает производственные затраты.
Флеш-память уже не первое десятилетие сохраняет роль стандарта в электронной индустрии. Но памяти пора становиться более емкой и уменьшаться в размерах.
Резистивная память обычно характеризуется металл-оксид-металлической структурой. Учеными была продемонстрирована альтернатива, сформированная из нано-«островков», материалом для формирования которых является оксид цинка.
Вопрос в том, насколько будут надежны накопители нового типа? Как известно, данные на флешке имеют свой срок хранения, да и у самой флешки есть срок годности.
