Samsung начала производство 20-нм микросхем оперативной памяти типа DDR3

22 Сентября 2011 в 17:29, Владимир Скрипин 20 просмотров 1

Южнокорейский индустриальный гигант, компания Samsung, объявил о начале массового производства первых в мире микросхем оперативной памяти типа DDR3, выполненных по нормам 20-нанометрового технологического процесса. Производством микросхем занимается завод Line-16, который считается самым большим в мире.

Прирост показателей производительности и энергоэффективности в модулях памяти исполненных по нормам 20-нанометрового техпроцесса составляет 50 и 40 процентов в сравнении с 30-нанометровыми микросхемами. Начнет южнокорейский гигант из выпуска чипов емкостью 2 Гбита, но уже к концу текущего года перейдет к производству модификаций объемом 4 Гбита. В результате на рынке появятся модули памяти объемом 16 и 32 Гбайта. Завод Line-16 входит в состав комплекса Nano City, расположенного в городе Хвасон, провинция Кенгидо. Здание завода охватывает территорию в 198 тысяч квадратных метров и состоит из 12 этажей. На строительство завода компания Samsung потратила около 10 миллиардов долларов.

Источник: Tcmagazine.com

Samsung начала производство 20-нм микросхем оперативной памяти типа DDR3

Приложение
Hi-News.ru

Новости высоких технологий в приложении для iOS и Android.

1 комментарий

  1. Nyu Vlad

    Отличная оперативка, прирост производительности заметно чувствуется, по крайней мере на i7 2600.

Новый комментарий

Для отправки комментария вы должны авторизоваться или зарегистрироваться.