Как сообщает Electronista,  в понедельник Toshiba официально объявила о выходе нового модуля памяти NAND Flash 64 GB. Если верить японцам, это первый в мире модуль памяти Flash с таким объёмом. По официальным данным, он обладает отдельным контроллером памяти и использует 16 микросхемами памяти 32 Gbit, изготовленными по техпроцессу 32 нм. Как заявлено, их толщина составляет всего 30 микронов.

Таким образом, имеются все основания полагать, что мобильные устройства следующего поколения будут иметь в два раза больше внутренней памяти, чем нынешние модели. Как утверждает Electronista, iPhone 4G может получить до 64 Гбайт внутренней памяти, а у iPod Touch следующего поколения — до 128 Гбайт. Дело в том, что iPhone использует лишь одну микросхему памяти для хранения данных, а у iPod Touch их целые две.

Toshiba уже приступила к рассылке тестовых образцов данного модуля. Как ожидается, его серийное производство начнется в I квартале 2010 года.   

Источник: Electronista