Samsung начинает выпуск мобильного DRAM класса 30 нм
Корейская компания Samsung сообщила о начале производства 4-гигабитного маломощного высокоскоростного модуля оперативной памяти типа (LPDDR2) DRAM с использованием 30-нанометровой технологии. Новый чип позволит сделать смартфоны, планшеты и другие мобильные устройства еще тоньше, легче, и увеличить продолжительность их работы.
Ранее для увеличения производительности приходилось объединять 4 чипа LPDDR2 по 2 Гб, теперь же ту же самую плотность можно получить с помощью модуля DRAM с 2 чипами по 4 Гб каждый. Это позволит уменьшить размер модуля и сэкономить до 25% электроэнергии.
Источник: Аkihabaranews.com
