Корейская компания Samsung сообщила о начале производства 4-гигабитного маломощного высокоскоростного модуля оперативной памяти типа (LPDDR2) DRAM с использованием 30-нанометровой технологии. Новый чип позволит сделать смартфоны, планшеты и другие мобильные устройства еще тоньше, легче, и увеличить продолжительность их работы.

Новинка объединила в себе высокую производительность и энергоэкономичность. Скорость передачи данных составляет 1 066 Мб/с, что в два раза превышает возможности современного MDDR, который работает на уровне 333-400 Мб/с.

Ранее для увеличения производительности приходилось объединять 4 чипа LPDDR2 по 2 Гб, теперь же ту же самую плотность можно получить с помощью модуля DRAM с 2 чипами по 4 Гб каждый. Это позволит уменьшить размер модуля и сэкономить до 25% электроэнергии.

Источник: Аkihabaranews.com