Технологии будущего: транзисторы из индий-галлий-арсенида
Ученые из Массачусетского технологического института (MIT) могут внести несколько поправок в закон Мура с выходом 22-нм транзистора из индий-галлий-арсенида.
«Мы показали, что транзисторы MOSFET из индий-галлий-арсенида при уменьшении размеров не теряют свои основные характеристики. С их помощью удастся достичь новых вершин в индустрии нанотехнологий и компьютерной техники, которые были недосягаемыми для кремниевых решений, упирающихся в принципы закона Мура»
, — заявил руководитель проекта Хесус дель Аламо (Jesús del Alamo).
В будущем перспективная технология поспособствует увеличению количества транзисторов в одном чипе и уменьшения размера кристалла, что обеспечит большой рывок в производительности.
В ближайшее время ученые сосредоточатся на совершенствовании характеристик транзисторов и освоение 10-нм норм их производства.
Источник: Engadget.com