IBM разрабатывает память, которая в 100 раз быстрее flash-памяти

Корпорация IBM сообщила о новых разработках относительно новейшего формата памяти  известного, как память изменения фазового состояния (PCM). В следующие пять лет PCM сможет осуществить большой сдвиг в технологии хранения данных.

IBM обещает, что память PCM сможет обеспечить в сто раз быстрее скорость записи и чтения. Это позволит современным компьютерам и серверам работать намного быстрее. PCM обеспечивает не меньше 10 млн. циклов записи на 1 сектор памяти по сравнению с флеш-памятью, которая гарантирует лишь 30 тысяч циклов записи.

Кроме того, IBM удалось достигнуть высокой скорости записи, показатель которой в сто раз быстрее показателей флеш-памяти. Развитие этого проекта будет вестись в нано технологическом  центре, который недавно был открыт в Цюрихе. Остаётся вопрос лишь в следующем — насколько же готова технология для ее внедрения и позволит ли стоимость производства PCM заменить,  уступающей ей по показателям флеш-память.

Источник: engadget.com