Samsung ведет разработку DRAM с расширенным I/O-интерфейсом
Сегодня компания Samsung объявила о разработке нового модуля DRAM с расширенным I/O-интерфейсом на основе 50 нм технологий. Новая память будет интегрирована в мобильные устройства, такие как смартфоны и планшетные компьютеры.
Для увеличения скорости передачи данных было использовано 512 контактов ввода и вывода. Прошлое поколение модулей насчитывало не более 32-х. Если учитывать другие контакты управления командами и питанием, то их количество может насчитывать 1200 штук.
Источник: Аkihabaranews.com