Технологии будущего: транзисторы из индий-галлий-арсенида

Ученые из Массачусетского технологического института (MIT) могут внести несколько поправок в закон Мура с выходом 22-нм транзистора из индий-галлий-арсенида.

Транзисторы данного типа могут предоставить больше затворов, необходимых устройствам для того, чтобы переключаться между одним из двух состояний (вкл. и выкл.), по сравнению с кремниевыми транзисторами, которые на данный момент используются в процессорах. Длина затворов в существующих на данный момент кремниевых трехмерных транзисторах составляет 22 нм. Ученые уже разрабатывают конструкции, которые позволят использовать более короткие затворы (14-нм техпроцесс). Предел в 10-нм, по оценкам различных экспертов, будет достигнут к 2018 году. После этого возможности кремния будут исчерпаны (больше его дробить невозможно) и придется искать новый материал для транзисторов.

«Мы показали, что транзисторы MOSFET из индий-галлий-арсенида при уменьшении размеров не теряют свои основные характеристики. С их помощью удастся достичь новых вершин в индустрии нанотехнологий и компьютерной техники, которые были недосягаемыми для кремниевых решений, упирающихся в принципы закона Мура»

, — заявил руководитель проекта Хесус дель Аламо (Jesús del Alamo).

В будущем перспективная технология поспособствует увеличению количества транзисторов в одном чипе и уменьшения размера кристалла, что обеспечит большой рывок в производительности.

В ближайшее время ученые сосредоточатся на совершенствовании характеристик транзисторов и освоение 10-нм норм их производства.

Источник: Engadget.com