Китайскими учеными создан новый экологически чистый сплав для электроники. 50 атомов алюминия связаны с 50 атомами сурьмы. Этот сплав потенциально может быть использован в модулях энергонезависимой компьютерной памяти нового поколения «с переменной фазой» («phase-change»). Согласно публикации в научном журнале Applied Physics Letters, на который ссылается сетевой вестник науки e! Science News, данная технология может найти применение в грядущих накопителях информации.
Память «с переменной фазой» может прийти на смену получившей повсеместное распространение флеш-памяти, основанной на следующих принципах.
Память «с переменной фазой» основана на материалах, которые способны менять форму. Под воздействием электрического импульса они из бесформенных становятся кристаллическими. Такой материал в своем аморфном состоянии обладает высоким электрическим сопротивлением и низким сопротивлением в кристаллическом состоянии. Эти два состояния соответствуют «1» и «0» в двоичной системе.
Флеш-память не слишком подходит для менее чем 20-нанометровых модулей, в то время как модули памяти «с переменной фазой» могут быть менее чем 10-нанометровыми. Это позволит разместить больше емкости памяти на меньшем пространстве.
Представитель Шанхайского института микросистем и информационных технологий Академии Наук Китая Ксилин Жоу отмечает:
Это наиболее важная особенность данного типа памяти.
Он добавляет, что данные очень быстро записываются в память «с переменной фазой» и ее модули будут сравнительно недорого стоить.
До сих пор самыми используемыми в производстве памяти такого типа были составы, содержащие германий, сурьму и теллур. Но необходимость сочетать три элемента усложняла работу над перспективной памятью «с переменной фазой».
Ксилин Жоу поясняет характер сложностей, с которыми исследователи сталкивались ранее, до создания нового сплава:
Сложно контролировать процесс производства памяти «с переменной фазой» на основе тройного сплава, в который традиционно входили германий, сурьма и теллур. Травление и очистка материала халькогенами могла изменить его состав по причине движения атомов теллура.
Ксилин Жоу со своими коллегами сумели свести состав материала всего к двум элементам: алюминию и сурьме. Ими были изучены способности материала менять форму. Данный состав более теплостойкий, чем сплав германия, сурьмы и теллура. Сплав Al50Sb50 обладает тремя уровнями сопротивления. Это дает возможность сохранить три бита данных (а не два) в одной ячейке памяти такого типа. Это позволит использовать данный материал в производстве многоуровневых накопителей информации.
Идей о том, чем вытеснить флеш-память у ученых немало. Например, ее предлагают заменить резистивным накопителем.
Некоторые из статей ресурса очень интересны, но не всегда требуют комментариев. Введите для мобильных клиентов вашего сайт возможность лайкать новость. Кажется это было бы круто.
Согласен!
Интересная новость)