Samsung первой начала выпуск микросхем памяти LPDDR3 объемом 3 ГБ

24 Июля 2013 в 20:30, Владимир Скрипин 1 530 просмотров 24

3gb-lpddr3

Южнокорейская компания Samsung официально сообщила о начале массового производства первых в мире модулей оперативной памяти типа LPDDR3 объемом 3 Гбайта, исполненных по нормам 20-нанометрового технологического процесса. Новые чипы нацелены на использование в мобильных устройствах следующего поколения.

Новинка Samsung представляет собой шесть 20-нм микросхем памяти типа LPDDR3 плотностью 4 Гбита, заключенных в корпусе толщиной 0,8 миллиметра. Скорость передачи данных в 20-нм чипах Samsung достигает 2133 Мбит/с. Габаритные размеры модулей памяти незначительные, что оставляет больше места для более емкой батареи.

Данная новость в очередной раз подтверждает ранние слухи о том, что смартфон Samsung Galaxy Note 3 получит 3 Гбайт оперативной памяти.

Напомним, что не так давно компания SK Hynix официально объявила о создании микросхем памяти типа LPDDR3 плотностью 8 Гбит, рассчитанных на выпуск по нормам того же 20-нм технологического процесса, на базе которых уже в конце этого года выйдут модули памяти объемом 4 Гбайта.

Samsung первой начала выпуск микросхем памяти LPDDR3 объемом 3 ГБ

Приложение
Hi-News.ru

Новости высоких технологий в приложении для iOS и Android.

24 комментария

  1. qwewetewryh

    Аплодирую стоя!

  2. andrei-pavlenko

    Аплодирую сидя, доедая бутерброд с колбасой. Браво самсунг и браво моему бутерброду! Вкусный получился мерзавец.

  3. solovev1

    Ahuennaia hutka ahaha ueba

  4. penetrator11

    Интересно, когда самсунг запилит модуль 16гб и 16ядерный процессор, андроид все еще будет тормозить?

  5. sikakoenig

    А нафига столько памяти??? Они че винду 8 собрались на планшет ставить ? Гига за глаза.....

  6. Papomba

    Про бутер поржал, доставило, спасибо ))

  7. лешка

    Про будерброт прикольно поржал спасибо :-)

Новый комментарий

Для отправки комментария вы должны авторизоваться или зарегистрироваться.