Силицен: материал будущего для производства компьютерных чипов

Николай Хижняк

Еще в 2010 году создание силицена — кремниевой структуры толщиной в один атом — казалось чисто теоретической идеей. Однако новый экзотический материал действительно создан, и ученые обнаружили, что электрические свойства силицена могут привести к раскрытию невиданного потенциала в увеличении мощности компьютерных чипов нового поколения.

Силицен: материал будущего для производства компьютерных чипов. Кажется, скоро компьютерные чипы будут производиться из нового материала. Фото.

Кажется, скоро компьютерные чипы будут производиться из нового материала

По мнению компьютерного инженера Дежи Акинванде и его исследовательской команды из Университета Техаса в Остине, выпуск транзисторов на основе силицена способно произвести революцию в индустрии производства полупроводниковых материалов. Переход на такой уровень производства позволит создать гораздо более быстрые, компактные и более эффективные (потому что структура силицена позволяет электронам сталкиваться с меньшим сопротивлением на своем пути) компьютерные чипы. Однако важнейшее значение здесь, по мнению Акинванде, играет «возможность эффективного производства и изготовления силиценовых устройств при более низких температурах».

Несмотря на свою недолгую историю, силицен заработал репутацию материала, с которым невероятно трудно работать. Как и в случае графена, состоящего из углерода, толщина силицена всего в один слой атомов кремния, наделяющая его необычными свойствами, делает новый материал весьма сложным для производства. Кроме того, в отличие от того же графена, силицен становится нестабильным при контакте с воздухом.

Исследователи разработали метод изготовления силицена, в рамках которого основной компонет располагается между тонкими слоями серебра и оксида алюминия (обычно можно найти в определенных видах обычных и драгоценных камней) толщиной в один нанометр. Оба слоя создают защитную оболочку для пластины из диоксида кремния. После обработки серебряный слой аккуратно снимают, оставляя два электрических контакта и тонкую пластину силицена между ними. Таким образом получают силиценовый транзистор.

Возможно, данный метод не подойдет для коммерческой практики, однако является весьма важным первым шагом на пути к возможности его использования. Акинванде отмечает, что постарается найти новые методы производства силицена и надеется, что к его работе присоединяться и другие заинтересованные стороны.