#факты | Золотой путь к устройствам в несколько атомов толщиной

Ученые Университета штата Канзас обнаружили, что введение дополнительных компонентов в ультратонкие материалы способно привести к значительному совершенствованию электронных и термических устройств. Профессор-химик Вильям Хонстед и возглавляемая им группа выяснили, что внедрение атомов золота в новый материал (толщиной всего в три атома) дисульфид молибдена улучшает его электрические характеристики. Ученые постоянно думают над тем, как сделать электронику компактнее, а материалы прочнее.

Результаты исследования могут послужить в деле совершенствования транзисторов, фотодетекторов, сенсоров и термических проводящих покрытий, отмечает исследователь Викас Берри. С практической точки зрения, речь может идти о создании сверхбыстрых и сверхтонких устройств. А скорость работы и минимальная толщина девайсов это именно те характеристики, которые в наибольшей степени интересуют пользователей.

Как сообщает сетевой научный портал e! Science News, лаборатория Викаса Берри изучает свойства нескольких наноматериалов нового поколения, толщиной всего в несколько атомов. Речь идет и о графене и о борно-нитридных слоях. Эти материалы предназначены для применения в электронике, композитах с высокими механическими свойствами и новейших биотехнологических решениях. Примером новейшего нанобиокомпозитного материала может служить материал с использованием крылышек бабочки. Викас Берри высоко отзывается о перспективах тончайших материалов:

Если смотреть в будущее, то эти структуры с атомарной толщиной в потенциале могут произвести революцию в электронике, будучи используемыми в устройствах, толщина которых составит всего несколько атомов.

В рамках недавнего исследования Берри и возглавляемая им научная группа сосредоточились на транзисторах из дисульфида молибдена (MoS2), материала, который был выделен всего два года тому назад. Материал является листом, толщина которого составляет всего три атома. Он в большей степени подходит для использования в транзисторах, чем лист графена, толщина которого всего один атом углерода.

В процессе изучения структуры дисульфида молибдена, ученые осознали, что серная основа материала хорошо сочетается с благородными металлами, в том числе и с золотом. При установлении соединения между наноструктурами дисульфида молибдена и золота, полученное соединение становится превосходным конденсатором.

Результаты проведенной работы способны существенно усовершенствовать электронику будущего, сделав ее сверхтонкой. Учеными был найден путь снижения энергопотребления этих грядущих ультратонких устройств.

В планах ученых заняться более сложными конструкциями на основе дисульфида молибдена. Речь идет о логических устройствах и сенсорах.