Сравнительный анализ GPU Nvidia GK104 и AMD Tahiti

Основными ключевыми характеристиками графических процессоров Nvidia GK104 и GPU AMD Tahiti являются размеры кристалла и количество транзисторов. Именно в этих особенностях скрыты секреты производительности и ценовой политики. Чем меньше транзисторов, тем эффективнее считается архитектура и производительность GPU в целом. Также стоит отметить, что при использовании одинаковых технологических норм большее количество транзисторов соответствует большему энергопотреблению ядра, а площадь кристалла – себестоимости самого GPU.

Ресурсу 3dcenter.org удалось более детально разузнать о чипе Nvidia GK104, на котором основана видеокарта GeForce GTX 680. Площадь кристалла GK104 равна 294 мм2, а не 296 мм2, как сообщалось ранее. Такой площади инженерам Nvidia хватило для того, чтобы разметить на кристалле 3,54 миллиарда транзисторов.

По сравнению с чипами GF110 и GF114 на архитектуре Fermi, на которых основаны видеокарты серии Nvidia 500, Nvidia GK104 отличается значительно меньшими размерами. Ядро GF114 (GeForce GTX 560 Ti) с площадью 358 мм2 включает 1,95 миллиарда транзисторов, а GF110 (GeForce GTX 580) с площадью 520 мм2 — 3,0 миллиарда транзисторов. Напомним, что чипы GF114 и GF110 исполнены по нормам 40-нанометрового техпроцесса, а GK104 — по нормам 28-нанометрового. Новые технологические нормы дали возможность увеличить плотность размещения транзисторов на 1 мм2 с 5,4-5,8 до 12,0 миллионов.

Коллеги из 3dcenter.org, также проанализировали площадь 28-нанометрового кристалла AMD Tahiti (Radeon HD 7970) которая составляет 365 мм2. Количество транзисторов при этом составляет 4,3 миллиарда. Из этого можно сделать вывод, что плотность составляет 11,8 миллиона транзисторов на 1 мм2.

GPU AMD Pitcairn (Radeon HD 7870) включает в себя 2,8 миллиарда транзисторов при площади 212 мм2. Показатель плотности при этом составляет 13,2 миллиона транзисторов на 1 мм2.

Графические процессоры AMD Barts (Radeon HD 6870) и Cayman (Radeon HD 6970), исполненные по нормам 40-нанометрового техпроцесса, отличаются показателями плотности 6,7 и 6,8 млн. транзисторов на 1 мм2. При этом площадь кристалла первого равна 255 мм2 и содержит 1,7 миллиарда транзисторов, а второго — 389 мм2 и содержит 2,64 миллиарда транзисторов.

Источник: Techpowerup.com и 3dcenter.org